深圳

TSM2N7002KDCU6 RF-VB 场效应管(MOSFET) 2个N沟道 耐压:60V SC70

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VB4290 场效应管(MOSFET) 2个P沟道 耐压:20V 电流:4A TSOP-6-1.5

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NTMFD6H846NL-VB 场效应管(MOSFET) 2个N沟道 耐压:100V DFN-8(5x

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E6P02-VB 场效应管(MOSFET) 2个P沟道 耐压:20V 电流:8.9A SOP-8

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SM7340EHKP-VB 场效应管(MOSFET) 2个N沟道 耐压:30V DFN-8(5x6)

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SiA975DJ-T1-GE3-VB 场效应管(MOSFET) 2个P沟道 耐压:30V DFN-6(

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CEH2288-VB 场效应管(MOSFET) 2个N沟道 耐压:20V 电流:6A SOT-23

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2SJ355-VB 场效应管(MOSFET) 1个P沟道 耐压:30V 电流:6A SOT-89-

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Si1024X-T1-GE3-VB 场效应管(MOSFET) 2个N沟道 耐压:20V SC-75-6

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SI9936DY-T1-E3-VB 场效应管(MOSFET) 2个N沟道 耐压:30V 电流:6A

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DMN26D0UT-VB 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:20V 电流:1A SC75

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STS8201-VB 场效应管(MOSFET) 2个N沟道 耐压:20V 电流:6A TSOP-6

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HFD6N60U-VB 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:650V 电流:5A TO-2

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FDMA507PZ-VB 场效应管(MOSFET) 1个P沟道 耐压:20V QFN6(2X2)

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QS6J1TR-VB 场效应管(MOSFET) 2个P沟道 耐压:20V SOT-23-6

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HM8810A-VB 场效应管(MOSFET) 2个N沟道 耐压:20V 电流:6A SOT-23

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VB4610N 场效应管(MOSFET) 2个P沟道 耐压:60V 电流:3A TSOP-6-1.

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AP2300GN-VB 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:20V 电流:6A SOT-2

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FQD6N40C-VB 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:650V 电流:5A TO-2

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NVMFD6H846NL-VB 场效应管(MOSFET) 2个N沟道 耐压:100V DFN-8(5x

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